TCC (Teses e Dissertações)
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Dissertação Acesso aberto Desvendando a natureza de 3XMM J185246.6+003317 : um magnetar de alta massa com baixo campo magnético(2024) Silva, Iago Filipe de SouzaA presente dissertação aborda o estudo de 3XMM J185246.61003317, um repetidor de raios gama suaves (SGR) de rotação lenta, localizado nas proximidades do remanescente de supernova (SNR) Kes 79. Este trabalho se insere no contexto da astrofísica moderna, que combina os princípios da relatividade geral com técnicas avançadas de análise estatística, como a inferência Bayesiana, para investigar objetos extremamente densos e energéticos. A relatividade geral, proposta por Albert Einstein, fornece a base teórica necessária para compreender fenômenos em campos gravitacionais intensos, enquanto a estatística Bayesiana permite uma inferência rigorosa de parâmetros astrofísicos, particularmente útil em situações com dados limitados ou incertos, como ocorre na observação de estrelas de nêutrons.Tese Acesso aberto Produção e caracterização de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por descarga luminescente a 60 Hz(1994)Apresentamos neste trabalho uma técnica alternativa para a obtenção de filmes finos de silício amorfo hidrogenado (a-Si:H). Nós depositamos a-Si:H em um sistema de deposição que utiliza descarga luminescente a baixas freqüências (60 Hz). Para tanto, nós projetamos todo o reator para que este objetivo pudesse ser atingido. Os filmes obtidos por nós mostram propriedades ópticas e eletrônicas bastante próximas àquelas dos filmes produzidos pela técnica convencional de descarga luminescente a rádio-frequência (13,56 MHz). A temperatura do substrato ótima para a técnica de descarga luminescente a baixas freqüências está na faixa 150-170 °C, em tomo de 100 °C menor do que aquela usada para rádio-frequência. Neste trabalho nós apresentamos medidas das propriedades dos filmes, incluindo condutividade no escuro, fotocondutividade, comprimento de difusão ambipolar, absorção no infra-vermelho, gap óptico, e densidade de defeitos de níveis profundos. Para realizar parte destas medidas, nós construímos sistemas experimentais de caracterização exclusivos para o a-Si:H.