Produção e caracterização de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por descarga luminescente a 60 Hz
| dc.contributor.advisor | Bagnato, Vanderlei Salvador | |
| dc.date.accessioned | 2024-11-04T17:10:03Z | |
| dc.date.issued | 1994 | |
| dc.description.abstract | Apresentamos neste trabalho uma técnica alternativa para a obtenção de filmes finos de silício amorfo hidrogenado (a-Si:H). Nós depositamos a-Si:H em um sistema de deposição que utiliza descarga luminescente a baixas freqüências (60 Hz). Para tanto, nós projetamos todo o reator para que este objetivo pudesse ser atingido. Os filmes obtidos por nós mostram propriedades ópticas e eletrônicas bastante próximas àquelas dos filmes produzidos pela técnica convencional de descarga luminescente a rádio-frequência (13,56 MHz). A temperatura do substrato ótima para a técnica de descarga luminescente a baixas freqüências está na faixa 150-170 °C, em tomo de 100 °C menor do que aquela usada para rádio-frequência. Neste trabalho nós apresentamos medidas das propriedades dos filmes, incluindo condutividade no escuro, fotocondutividade, comprimento de difusão ambipolar, absorção no infra-vermelho, gap óptico, e densidade de defeitos de níveis profundos. Para realizar parte destas medidas, nós construímos sistemas experimentais de caracterização exclusivos para o a-Si:H. | |
| dc.format.extent | 375 | |
| dc.identifier.uri | https://repositorio.udesc.br/handle/UDESC/273 | |
| dc.language.iso | pt | |
| dc.subject | Física | |
| dc.title | Produção e caracterização de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por descarga luminescente a 60 Hz | |
| dc.type | Tese | |
| dspace.entity.type | Publication | |
| local.abstract.alternative | In this work, we present an alternative technique for obtaining thin films of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H). We deposit a-Si:H in a deposition system that uses glow discharge at low frequencies (60 Hz). To this end, we designed the entire reactor so that this objective could be achieved. The films obtained by us show optical and electronic properties very close to those of films produced using the conventional radio-frequency glow discharge technique (13.56 MHz). The optimum substrate temperature for the low frequency glow discharge technique is in the range 150-170 °C, around 100 °C lower than that used for radio frequency. In this work we present measurements of film properties, including dark conductivity, photoconductivity, ambipolar diffusion length, infrared absorption, optical band gap, and deep-level defect density. To perform part of these measurements, we built exclusive experimental characterization systems for a-Si:H. | en |
| local.description.instituicao | Universidade de São Paulo | |
| local.description.programa | Programa de Pós-Graduação em Física | |
| local.description.rights | Acesso aberto | |
| local.publisher.location | São Paulo | |
| local.subject.area | Ciências Exatas e da Terra | |
| relation.isAuthorOfPublication | fc891cc5-b058-4f5e-8d61-e14e94f32cc4 | |
| relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery | fc891cc5-b058-4f5e-8d61-e14e94f32cc4 |